[发明专利]具有高灵敏度的光电型探测器无效

专利信息
申请号: 200510071810.7 申请日: 2005-05-24
公开(公告)号: CN1869611A 公开(公告)日: 2006-11-29
发明(设计)人: 黄延红;吕惠宾;赵昆;何萌;金奎娟;陈正豪;周岳亮;杨国桢 申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
主分类号: G01J1/42 分类号: G01J1/42;G01J9/00;G01J11/00
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 代理人: 高存秀
地址: 100080北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及具有高灵敏度的光电型探测器,包括:由硅衬底和在硅衬底上的光响应材料层做成的芯片,所述的光响应层为外延生长在硅衬底上的掺杂钛酸钡薄膜层;第一电极设置在掺杂钛酸钡薄膜上,第二电极设置在与空气接触的硅衬底面上,两根电极引线的一端分别与第一电极和第二电极连接,电极引线的另一端是信号输出端,电阻的两端分别和两根电极引线的信号输出端连接。该探测器均为光生伏特型光电探测器,当光照射后直接产生电压信号,不需要任何外加辅助的电源和电子电路。其响应波段从紫外到远红外,激光脉冲产生光生伏特脉冲的前沿为~1ns,半宽度~2ns。
搜索关键词: 具有 灵敏度 光电 探测器
【主权项】:
1.一种具有高灵敏度的光电型探测器,包括:由硅衬底(1)和在硅衬底(1)上的光响应材料层(2)做成的芯片,第一电极(3)、第二电极(4)和引线(6);其特征在于:还包括一电阻(5);所述的光响应层(2)为外延生长在硅衬底(1)上的掺杂钛酸钡薄膜层,其中光响应层(2)的厚度为0.8nm~2μm;第一电极(3)设置在光响应层(2)上,第二电极(4)设置在硅衬底(1)面上,两根电极引线(6)的一端分别与第一电极(3)和第二电极(4)连接,电极引线(6)的另一端是信号输出端,电阻(5)的两端分别和两根电极引线(6)的信号输出端连接。
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