[发明专利]制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200510071214.9 | 申请日： | 1999-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101004519A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;H01L29/786;G09F9/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;张志醒 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种可靠性得到改善的薄膜晶体管。栅极包括具有锥形部分的第一栅极和宽度比第一栅极窄的第二栅极。对半导体层经第一栅极掺入低浓度的磷。在半导体层中，在沟道形成区和n+型杂质区之间形成两种n－型杂质区。一些n－型杂质区与栅极交叠，而其它n－型杂质区不与栅极交叠。由于形成两种n－型杂质区，可降低截止电流，并可抑制性能的退化。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光器件，其特征是，包括：衬底；在所述衬底上面的薄膜晶体管；在所述薄膜晶体管上面的夹层绝缘膜；在所述夹层绝缘膜上的第一电极，通过在夹层绝缘膜内形成的接触孔，所述第一电极被电连接到所述薄膜晶体管；在所述第一电极上的发光层；由于所述接触孔使所述第一电极在其表面存在凹陷处；并且，所述发光层在所述凹陷处上具有平坦的上表面。
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