[发明专利]镀膜装置无效
| 申请号： | 200510070437.3 | 申请日： | 2003-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN1674231A | 公开（公告）日： | 2005-09-28 |
| 发明（设计）人： | 平尾秀司 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/288 | 分类号： | H01L21/288;H01L21/3205;C25D3/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板的镀膜方法及镀膜装置，在镀液(106)中，通过高速旋转基板(101)去除吸附在基板(101)被镀面的Cu籽晶膜(104)表面上的气泡(105)。然后，在镀液(106)中，通过低速旋转基板(101)在Cu籽晶膜(104)上生长镀Cu膜(107)。由此可防止在镀膜中因被镀面吸附的气泡而产生的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 镀膜 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基板镀膜装置，其特征在于，具有：贮存镀液的电镀槽；设置在电镀槽中的第1电极；夹持作为镀膜处理对象的基板的基板夹持机构；第2电极，其设置在所述基板夹持机构上并与所述基板的被镀面接触；密封部，其设置在所述基板夹持机构上并与所述被镀面接触，以防止第2电极与所述镀液接触；超声波振动外加机构，对所述镀液外加超声波振动，所述密封部与所述被镀面的接触角度为120°以上150°以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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