[发明专利]成膜源、真空成膜装置、有机EL元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510069234.2 | 申请日： | 2005-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN1699619A | 公开（公告）日： | 2005-11-23 |
| 发明（设计）人： | 安彦浩志;增田大辅;梅津茂裕 | 申请（专利权）人： | 日本东北先锋公司 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;H05B33/10 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种真空成膜装置的成膜源(10)，具有：收容成膜材料的材料收容部(11)；加热材料收容部(11)内的成膜材料的加热单元(12)；设在材料收容部的喷出口(11a)上的整流部(13)，整流部(13)具有被分隔成多个细微开口(13a)的流路(13b)，并具有根据整流部(13)的各开口(13a)的截面面积Sa、从整流部(13)的喷出端到被成膜面的距离L、整流部(13)的中心正上方的被成膜面中的成膜材料的成膜速率R所设定的高指向性。由此，可进行指向性高的成膜。 | ||
| 搜索关键词： | 成膜源 真空 装置 有机 el 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种真空成膜装置的成膜源，将成膜材料加热使其升华或蒸发，把所生成的成膜材料的原子流或分子流朝向被成膜面喷射，由此在该被成膜面上形成薄膜，其特征在于，具有：收容所述成膜材料的材料收容部；加热该材料收容部内的成膜材料的加热单元；设在所述材料收容部的喷出口上的整流部，所述整流部具有被分隔成多个细微开口的流路，并具有根据所述整流部的各开口的截面面积Sa、从所述整流部的喷出端到被成膜面的距离L、所述整流部的中心正上方的被成膜面中的所述成膜材料的成膜速率R所设定的指向性。
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