[发明专利]电容式接近传感器无效
申请号: | 200510069223.4 | 申请日: | 2005-05-12 |
公开(公告)号: | CN1696743A | 公开(公告)日: | 2005-11-16 |
发明(设计)人: | 中村靖;矢岛史夫;见崎信正 | 申请(专利权)人: | 株式会社藤仓 |
主分类号: | G01V3/08 | 分类号: | G01V3/08;H03K17/955;H01H36/00;G08B13/26 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐谦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供高检测感度的电容式接近传感器。电容式接近传感器具有绝缘基板11、在该绝缘基板11的一个面上以规定图形形成的探测电极12和接地电极13、对探测电极12和接地电极13之间的电容进行检测,并检测物体向探测电极12和接地电极13靠近的探测电路20。探测电极12形成为包围接地电极13的形状。 | ||
搜索关键词: | 电容 接近 传感器 | ||
【主权项】:
1.一种电容式接近传感器,包括绝缘基板;在该绝缘基板的一个面上以规定图形形成的探测电极和接地电极;探测电路,其检测所述探测电极和接地电极之间的电容、检测物体向所述探测电极和接地电极靠近的探测电路,所述电容式接近传感器的特征在于:所述探测电极形成为包围所述接地电极的形状。
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