[发明专利]一种多晶硅振动膜硅微电容传声器芯片及其制备方法无效
| 申请号： | 200510068006.3 | 申请日： | 2005-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN1859815A | 公开（公告）日： | 2006-11-08 |
| 发明（设计）人： | 乔东海;胡维;田静;徐联;汪承灏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院声学研究所 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04;H04R31/00 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高存秀 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅振动膜硅微电容传声器芯片及其制备方法。该硅微电容传声器芯片包括多晶硅振动膜、保护层、隔离层、空气间隙、硅基片及其上的穿孔背板，该穿孔背板包括一掺杂层且具有由多个声学孔，该声学孔是刻蚀一连续的掺杂层形成。在该硅微电容传声器芯片的制备方法中，在所述硅基片的上表面形成一连续的掺杂层，该掺杂层形成硅微电容传声器芯片的至少一部分穿孔背板，从该连续的掺杂层的上表面向下刻蚀出由多个声学孔组成的声学孔图案。本发明采用多晶硅作为振动膜，制作工艺与平面半导体工艺完全兼容；本发明还克服了深度选择性浓硼扩散制作背板及背板穿孔所带来的问题和困难，为工业化生产传声器芯片提供一套简便易行的工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 振动 膜硅微 电容 传声器 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种多晶硅振动膜硅微电容传声器芯片，包括硅基片及其上的穿孔背板、隔离层、振动膜和电极，其特征在于所述硅微电容传声器芯片还包括保护层；所述的保护层位于隔离层和振动膜之间，并将隔离层包围，所述隔离层和保护层位于所述穿孔背板和所述振动膜之间，用以提供所述穿孔背板和所述振动膜之间的空气隙，所述穿孔背板包括一掺杂层且具有由多个声学孔组成的声学孔图案；所述穿孔背板上的声学孔是刻蚀一连续的掺杂层形成。
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