[发明专利]半导体器件的制造方法无效

专利信息
申请号: 200510066600.9 申请日: 2005-04-28
公开(公告)号: CN1700424A 公开(公告)日: 2005-11-23
发明(设计)人: 植松俊英;宫崎忠一;阿部由之;木村稔 申请(专利权)人: 株式会社瑞萨科技
主分类号: H01L21/304 分类号: H01L21/304;H01L21/301;H01L21/66
代理公司: 北京市金杜律师事务所 代理人: 王茂华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提高了薄半导体器件的可靠性。将具有环粘贴在其外围的胶带粘贴到半导体晶片的主表面,并在这种状态下,磨削和抛光半导体晶片的背表面以使晶片变薄。其后,在其中有环的胶带粘贴在晶片主表面并没有被剥离的状态下,将半导体晶片搬运到切割设备,并且从半导体晶片的背表面侧进行切割,以将晶片分割成单个半导体芯片。根据本方法,有利于通过后表面处理使半导体晶片变薄的操作。此外,因为在从后表面处理转移到切割工序的时候不需要替换胶带,所以能简化制造过程。
搜索关键词: 半导体器件 制造 方法
【主权项】:
1.一种制造半导体器件的方法,包括以下步骤:(a)提供具有主表面和相对于该主表面的背表面的半导体晶片;(b)在所述半导体晶片的所述主表面的上方形成具有半导体元件的半导体芯片;(c)将沿其外围具有框架部分的胶带粘贴到所述半导体晶片的所述主表面;(d)在所述胶带粘贴在所述半导体晶片的所述主表面的状态下,磨削以及之后抛光所述半导体晶片的所述背表面;(e)在所述胶带粘贴在所述半导体晶片的所述主表面的所述状态下,切割所述半导体晶片以将该晶片分割成单个所述半导体芯片;以及(f)在所述步骤(e)后取出所述半导体芯片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社瑞萨科技,未经株式会社瑞萨科技许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510066600.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top