[发明专利]半导体激光器件无效
| 申请号： | 200510065668.5 | 申请日： | 2005-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN1661870A | 公开（公告）日： | 2005-08-31 |
| 发明（设计）人： | 河镜虎;郭准燮;李成男;蔡程惠 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在不增加包层的厚度或Al含量的情况下具有充分的光限制效果的半导体激光器件。提供的半导体激光器件包括衬底、有源层、位于有源层和衬底之间的第一包层、位于有源层上的第二包层、以及包括金属波导层并且形成在第二包层上的第一电极层，该金属波导层由比第二包层的折射率小的金属制成，其中形成第一电极层作为波导工作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器件，包括：衬底；有源层；位于所述衬底和所述有源层之间的第一包层；位于所述有源层上的第二包层；以及包括金属波导层并且形成在所述第二包层上的第一电极层，所述金属波导层由具有比第二包层更小折射率的金属制成，其中所述第一电极层被形成作为波导工作。
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