[发明专利]软参考三导体磁存储器存储装置无效
| 申请号： | 200510063759.5 | 申请日： | 2005-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN1674148A | 公开（公告）日： | 2005-09-28 |
| 发明（设计）人： | F·A·佩尔纳;K·K·史密斯 | 申请（专利权）人： | 惠普开发有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L43/00;H01L27/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;梁永 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种软参考三导体磁存储器(200)存储装置。在特定实施例中，存在多个平行导电的第一读出/写入导体(204，204’)以及多个平行导电的第二读出导体(206，306)。第一读出/写入和第二读出导体(204，204’和206，306)可提供交叉点阵列(400)。软参考磁存储器(SVM)单元(202，202’)设置在各相交点并与其电接触。另外还存在多个平行导电的写入列导体(208，312)，它们充分接近第二读出导体(206，306)并与其电绝缘。读出磁场(550，552)使软参考层(214)定向但不改变单元(202)中存储的数据。还提供一种相关使用方法。 | ||
| 搜索关键词： | 参考 导体 磁存储器 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种软参考三导体磁存储器(200)存储装置，包括：多个平行导电的第一读出/写入导体(204，204’)；多个平行导电的第二读出导体(206，306)，与所述第一读出/写入导体(204，204’)交叉，从而均形成具有多个相交点的交叉点阵列(400)；多个软参考自旋阀存储器(SVM)单元(202，202’，300，300’)，每个SVM单元(202，202’，300，300’)设置在第一读出/写入导体(204)和第二读出导体(306)之间的相交点处并与其电接触，所述SVM单元(202，202’，300，300’)包含具有可变磁化取向的材料；以及多个平行导电的第三写入列导体(208，312)，充分接近所述第二读出导体(206，306)并与其电绝缘。
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