[发明专利]具有驱动电路的液晶显示器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种具有驱动电路的液晶显示器件及其制造方法。在该液晶显示器件中，底栅结构的多晶硅薄膜晶体管被用作开关元件并且具有透射区域、半透射区域和遮挡区域的掩模被使用从而可以通过六轮掩模工序来制造具有单片驱动电路的液晶显示器件的阵列基板。从而改善了生产时间、生产成本和产量。而且，由于栅极包括薄的单层透明导电材料，防止了由于栅极增加的台阶所导致的退化并改善了多晶硅层的结晶度。

主权项

1、一种用于液晶显示器件的阵列基板结构的制造方法，包括：在限定了显示区域和非显示区域的基板上顺序形成透明导电材料层和金属材料层，其中所述显示区域具有像素薄膜晶体管部分和像素电极区域，而所述非显示区域具有n型驱动薄膜晶体管部分和p型驱动薄膜晶体管部分；通过第一掩模工序在所述p型驱动薄膜晶体管部分中形成第一栅极，在所述n型驱动薄膜晶体管部分中形成第二栅极，在所述像素薄膜晶体管部分中形成第三栅极，在所述显示区域中形成栅线，在所述像素电极区域中形成像素电极，并且形连接到所述像素电极的第一电容电极；在所述第一栅极、第二栅极、第三栅极、栅线、像素电极和第一电容电极上顺序形成栅绝缘层和硅层；通过第二掩模工序向所述p型驱动薄膜晶体管部分中的硅层掺杂入高浓度p型杂质(p+)以限定第一有源区域和第一欧姆接触区域；通过第三掩模工序向所述像素薄膜晶体管部分和所述n型驱动薄膜晶体管部分中的硅层掺杂入高浓度n型杂质(n+)和低浓度n型杂质(n-)以限定第二和第三有源区域、第二和第三欧姆接触区域、第一和第二轻掺杂漏区域以及存储电容区域；通过第四掩模工序在所述p型驱动薄膜晶体管部分中形成第一半导体层，在所述n型驱动薄膜晶体管部分中形成第二半导体层，在所述像素薄膜晶体管部分中形成第三半导体层，以及在所述存储电容区域中形成第二电容电极；通过第五掩模工序在所述第一、第二和第三半导体层上形成钝化图案，其中所述钝化图案覆盖所述第一、第二和第三有源区域，并且通过所述钝化图案暴露出所述第一、第二和第三欧姆接触区域；以及通过第六掩模工序形成第一源极和漏极、第二源极和漏极、第三源极和漏极以及数据线，其中所述第一源极和漏极接触所述第一欧姆接触区域，所述第二源极和漏极接触所述第二欧姆接触区域，所述第三源极和漏极接触所述第三欧姆接触区域，以及所述数据线连接到所述第三源极。