[发明专利]一种硅基氧化锌紫外电致发光器件及其制备方法无效
| 申请号： | 200510061603.3 | 申请日： | 2005-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN1787246A | 公开（公告）日： | 2006-06-14 |
| 发明（设计）人： | 马向阳;杨德仁;陈培良;阙端麟 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基氧化锌紫外电致发光器件及其制备方法。该器件在硅衬底的正面自下而上依次沉积ZnO薄膜、SiO2薄膜和电极，在硅衬底背面沉积欧姆接触电极。其制备步骤如下：先将N型硅片清洗后放入直流反应磁控溅射装置的反应室中，反应室抽真空，以Zn为靶材，以O2和Ar作为溅射气氛，进行溅射生长，得到ZnO薄膜；然后用化学气相沉积法或蒸发法或溅射法或溶胶－凝胶方法在ZnO薄膜上沉积SiO2薄膜；再在SiO2薄膜上溅射电极，在硅衬底背面溅射欧姆接触电极。本发明器件的结构和实现方式简单，不需要采用P型ZnO薄膜，因而避开了ZnO薄膜P型掺杂困难的问题。且制备方法所用的设备与现行成熟的硅器件平面工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化锌 紫外 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.硅基氧化锌紫外电致发光器件，其特征是在硅衬底(1)的正面自下而上依次沉积有ZnO薄膜(2)、SiO2薄膜(3)和电极(4)，在硅衬底背面沉积有欧姆接触电极(5)。
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