[发明专利]用于晶片级光电封装的封盖无效
| 申请号： | 200510059890.4 | 申请日： | 2005-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN1713468A | 公开（公告）日： | 2005-12-28 |
| 发明（设计）人： | 肯德拉·J·盖洛普;詹姆斯·A·马修斯;马莎·约翰逊 | 申请（专利权）人： | 安捷伦科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022;H01S5/026;H01L21/56;H01L23/02 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成用于晶片级封装的封盖的方法，包括：(1)在衬底中形成腔；(2)在所述腔上方和在所述晶片上围绕所述腔的接合区域上方形成氧化物层；(3)在所述氧化物层上方形成反射层；(4)在所述反射层上方形成阻挡层；(5)向下刻蚀所述阻挡层的一部分直到所述反射层在所述接合区域上方的部分；以及(6)在所述反射层的所述部分上形成焊料层。所述反射层可以是钛－铂－金金属堆叠并且所述阻挡层可以是二氧化钛层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 晶片 光电 封装 | ||
【主权项】：
1.一种形成用于晶片级封装的封盖的方法，包括：在衬底中形成腔；在所述腔上方和在所述晶片上围绕所述腔的接合区域上方形成氧化物层；在所述氧化物层上方形成反射层；在所述反射层上方形成阻挡层；向下刻蚀所述阻挡层的一部分直到所述反射层在所述接合区域上方的部分；以及在所述反射层的所述部分上形成焊料层。
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