[发明专利]同时双面研磨晶片形工件的装置有效
| 申请号： | 200510054723.0 | 申请日： | 2005-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN1667799A | 公开（公告）日： | 2005-09-14 |
| 发明（设计）人： | 约阿希姆·容格;罗伯特·魏斯 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B7/17 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蔡洪贵 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种同时双面研磨晶片形工件(1)的装置，包括两个具有共线布置的旋转轴(9)的大体上为圆形的磨轮(3)，其中磨轮(3)的研磨表面(10)以旋转轴(9)为基准在轴向彼此相对地设置，还包括两个同样彼此相对地设置的、用于流体静力学地支撑晶片形工件(1)的装置(2)，每个装置(2)包括至少一个流体静力学支撑、和在每种情况下用于量测工件(1)与用于流体静力学支撑的装置(2)之间的间隔的至少一个动压管(4)，其中，两个用于流体静力学支撑的装置(2)中每一个的面对工件(1)的表面(7)是非平面设计，使得表面(7)与工件(1)之间的间隔在用于流体静力学支撑的装置(2)朝向磨轮(3)的边缘(8)处采用最小值，并且该间隔随到磨轮(3)的距离增加而增大。此外，至少一个孔设置在动压管附近，液体与被磨下的任何材料可通过孔从动压管附近排出。 | ||
| 搜索关键词： | 同时 双面 研磨 晶片 工件 装置 | ||
【主权项】：
1、一种同时双面研磨晶片形工件(1)的装置，包括两个具有共线布置的旋转轴(9)的大体上为圆形的磨轮(3)，其中磨轮(3)的研磨表面(10)以旋转轴(9)为基准在轴向彼此相对地设置，在磨轮(3)之间限定一中平面，还包括两个同样彼此相对地设置的、用于流体静力学地支撑晶片形工件(1)的装置(2)，每个装置(2)包括至少一个流体静力学支撑、和在每种情况下用于量测工件(1)与用于流体静力学支撑的装置(2)之间的间隔的至少一个动压管(4)，其中，两个用于流体静力学支撑的装置(2)中每一个的面对工件(1)的表面(7)是非平面设计，使得表面(7)与磨轮(3)之间的中平面之间的间隔在用于流体静力学支撑的装置(2)朝向磨轮(3)的边缘(8)处采用最小值，并且该间隔随到磨轮(3)的距离增加而增大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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