[发明专利]高压元件结构有效
| 申请号： | 200510054315.5 | 申请日： | 2005-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN1832197A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 李文芳;徐尉伦;林育贤 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种高压元件结构设于一第一导电类型的一基底中，包含具有第二导电类型的一第一井区及一第二井区位于基底中、具有一第一长度的一源极扩散区及一漏极扩散区分别位于第一井区及第二井区中以及具有一第二长度的一导体栅极层位于基底表面。其中第二长度大于第一长度，因此形成二突出区域于导体栅极层两侧。本发明还包括二窗口分别位于各突出区域。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 元件 结构 | ||
【主权项】：
1.一种高压元件结构，该高压元件结构设于一第一导电类型的一基底中，且该高压元件结构包括：位于该基底中的具有一第二导电类型的一第一井区及一第二井区；分别位于该第一井区及该第二井区中的具有一第一长度的一源极扩散区及一漏极扩散区；位于该基底表面的具有一第二长度的一导体栅极层，其中该第二长度大于该第一长度，以于该导体栅极层两侧形成二突出区域；一通道扩散区，位于被该导体栅极层所覆盖的该基底中；以及二窗口，分别位于这些突出区域的该导体栅极层中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510054315.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基于三唑的杀真菌混合物
- 下一篇：基于三唑的杀真菌混合物
- 同类专利
- 专利分类
