[发明专利]无需外加偏磁场的45°法拉第旋转器

摘要

本发明公开了一种无需外加偏磁场的45°法拉第旋转器。它的成分是(Re_3－x－yY_xBi表示稀土大离子，所述的稀土大离子为Eu³⁺、Yb³⁺、Sm³⁺。沿(Re_3－x－yY_xBi其处于饱和磁化状态。本发明鉴于稀土大离子Eu³⁺与Y³⁺离子有相反的磁致伸缩系数和大的单离子磁晶各向异性，Bi³⁺离子能提高θ_f角，Ga³⁺离子进入四面体晶位在一定范围内又能降低Ms值从而提高剩磁比和配合大稀土离子的替代，因此生长(Re_3－x－yY_xBi后形成无需外加偏磁场使其处于饱和磁化状态的45°法拉第旋转器，这将使光隔离器不需要外加偏磁场而结构微型化和解决了在集成光学系统中对光隔离器外加偏磁场的困难。

主权项

1.一种无需外加偏磁场的45°法拉第旋转器，其特征在于它的成份是(Re3-x-yYxBiy)(Fe5-zGaz)O12晶体，其中，0＜x＜2，0＜y＜1，Re：表示稀土大离子Eu3+、Yb3+、Sm3+，沿(Re3-x-yYxBiy)(Fe5-zGaz)O12晶体<111>晶轴方向切割、充磁后，使其处于饱和磁化状态。