[发明专利]碳纳米管制备方法有效
申请号: | 200510037474.4 | 申请日: | 2005-09-23 |
公开(公告)号: | CN1935637A | 公开(公告)日: | 2007-03-28 |
发明(设计)人: | 刘锴;姜开利;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | C01B31/02 | 分类号: | C01B31/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种碳纳米管制备方法,其包括以下步骤:将表面沉积有一催化剂层的基底置于一石英舟内,该石英舟具有一开口;将所述石英舟置于一反应炉内,该反应炉包括一进气口,使所述石英舟的开口朝向该进气口;加热使反应炉温度达到一预定温度并通入碳源气以在基底上生长碳纳米管;待生长结束后,通过一导气装置引入载气气体到该石英舟内,以降低该石英舟内的碳源气浓度,使碳纳米管停止生长,防止形成常见的包覆结构;在外力作用下分离碳纳米管与催化剂层,得到开口碳纳米管或其阵列。 | ||
搜索关键词: | 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种碳纳米管制备方法,其包括以下步骤:提供一基底,该基底的一表面沉积有一催化剂层;将所述基底置于一石英舟内,该石英舟具有一开口;将所述石英舟置于一反应炉内,该反应炉包括一进气口,使所述石英舟的开口朝向该进气口;加热使反应炉的温度达到一预定温度,并通入反应气体利用化学气相沉积法在基底上生长碳纳米管;待生长结束后,通过一导气装置引入载气气体到所述石英舟内,以降低该石英舟内的碳源气浓度,使碳纳米管停止生长;在外力作用下分离碳纳米管与催化剂层,得到开口碳纳米管或其阵列。
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