[发明专利]自动选取金属氧化物半导体场效应晶体管的系统及方法无效
| 申请号： | 200510037019.4 | 申请日： | 2005-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN1924870A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 游永兴;曹翔 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;G06F17/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种自动选取适用电路设计的金属氧化物半导体场效应晶体管(Metallic Oxide Semiconductor Field EffectTransistor，MOSFET)的系统，包括：一数据库，用于记录不同的MOSFET的规格及产品信息；一电路设计规格接收模块，用于接收电路设计规格；一电路设计规格分析模块，用于分析判断所接收的电路设计规格是否符合电路设计基本要求；一规格计算模块，用于根据所接收的电路设计规格计算适用该电路设计的MOSFET的规格；以及一搜索模块，用于根据计算出的适用该电路设计的MOSFET的规格，在所述数据库中搜索适用该电路设计的MOSFET。本发明利用数据库搜索技术提高了MOSFET产品的搜索效率及准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 自动 选取 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种自动选取适用电路设计的金属氧化物半导体场效应晶体管的系统，其特征在于，该系统包括：一数据库，用于记录不同的金属氧化物半导体场效应晶体管的规格及产品信息；一电路设计规格接收模块，用于接收电路设计规格；一电路设计规格分析模块，用于分析判断所接收的电路设计规格是否符合电路设计基本要求；一规格计算模块，用于根据所接收的电路设计规格计算适用该电路设计的金属氧化物半导体场效应晶体管的规格；一搜索模块，用于根据计算出的适用该电路设计的金属氧化物半导体场效应晶体管的规格，在所述数据库中搜索适用该电路设计的金属氧化物半导体场效应晶体管。
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