[发明专利]一种碳纳米管阵列生长装置及多壁碳纳米管阵列的生长方法有效
| 申请号： | 200510033733.6 | 申请日： | 2005-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN1834006A | 公开（公告）日： | 2006-09-20 |
| 发明（设计）人： | 姜开利;刘锴;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;D01F9/127;C23C16/26;C30B25/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种碳纳米管阵列生长装置，其包括一反应炉，该反应炉包括一进气口和一出气口；一石英舟设置于反应炉内；一生长碳纳米管用的基底设置于石英舟内，该基底一表面形成有一第一催化剂层，其中石英舟内进一步包括一第二催化剂粉末，该第二催化剂粉末靠近基底设置，且设置于沿反应气体流动方向基底位置的前方。一种多壁碳纳米管阵列的生长方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底的一表面沉积有一第一催化剂层；将上述基底设置于一石英舟内；设置一第二催化剂粉末于石英舟内，该第二催化剂粉末靠近基底设置，且设置于沿气体流动方向基底位置的前方；将上述石英舟置于一反应炉内；加热达到预定温度并通入碳源气以在基底上生长多壁碳纳米管阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 阵列 生长 装置 多壁碳 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管阵列生长装置，其包括：一反应炉，该反应炉包括一进气口和一出气口；一石英舟设置于反应炉内；一生长碳纳米管用的基底设置于石英舟内，该基底一表面形成有一第一催化剂层，其特征在于石英舟进一步包括一第二催化剂粉末，该第二催化剂粉末靠近基底设置，且设置于沿反应气体流动方向基底位置的前方。
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