[发明专利]测试半导体器件栅氧化物整体性的带解码器的测试键有效
| 申请号： | 200510030381.9 | 申请日： | 2005-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN1949470A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | 赵永;龚斌;曾繁中;马瑾怡;黄飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海新高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开测试半导体器件中栅氧化物整体性的带解码器的测试键结构，和用本发明的带解码器的测试键结构检测多晶硅线中的故障的方法。带解码器的测试键结构包括：多根多晶硅栅线，解码器，和一个焊接盘；其特征是，多根多晶硅栅线一起连接到解码器，然后，多根多晶硅栅线通过解码器再连接到焊接盘。检测故障的方法是用解码器选择所需要的多晶硅栅线，例如，1、2或n根栅线；然后，当多晶硅边缘测试键结构出现故障时，用解码器逐一测试单根多晶硅栅线结构，确定故障的位置和故障的模式。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 半导体器件 氧化物 整体性 解码器 | ||
【主权项】：
1、测试半导体器件中栅氧化物整体性的带解码器的测试键，包括：多根多晶硅栅线(6)；解码器(7)；和一个焊接盘8；其特征是，多根多晶硅栅线(6)一起连接到解码器(7)，然后，多根多晶硅栅线通过解码器再连接到焊接盘(8)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510030381.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
