[发明专利]溅射TiO2使聚合物微流芯片表面改性的方法无效
| 申请号： | 200510024582.8 | 申请日： | 2005-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1657645A | 公开（公告）日： | 2005-08-24 |
| 发明（设计）人： | 陈文元;牛志强;张卫平;贾晓宇 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08;C23C14/02 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种属于微机电系统技术领域的溅射TiO2使聚合物微流芯片表面改性的方法，本发明具体步骤如下：1)将道康宁的sylgard184A溶液与sylgard184B溶液进行充分混合，然后将该混合物置入真空箱中脱除气泡；2)待气泡完全除去后，将脱好气的混合物浇在硅模具上，然后用甩胶机旋转，得到聚合物芯片，最后将聚合物芯片放置固化；3)将制备好的聚合物芯片放置在工作腔中，该芯片与Ti靶相距一定距离；4)将工作腔室本底抽真空，引入Ar气离子轰击靶材；5)待放电电压稳定后，引入反应气体氧气与溅射出的Ti发生反应，变成TiO2，沉积到聚合物芯片表面。本发明薄膜和基体的结合强度大大提高，其改性后的表面亲水性和蛋白质吸附特性也得到了明显的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 tio sub 聚合物 芯片 表面 改性 方法 | ||
【主权项】：
1、一种溅射TiO2使聚合物微流芯片表面改性的方法，其特征在于，具体步骤如下：1)将道康宁的sylgard184A溶液与sylgard184B溶液进行充分混合，然后将该混合物置入真空箱中脱除气泡；2)待气泡完全除去后，将脱好气的混合物浇在硅模具上，然后用甩胶机旋转，得到聚合物芯片，最后将聚合物芯片固化；3)将制备好的聚合物芯片放置在工作腔中；4)将工作腔室本底抽真空，引入Ar气离子轰击靶材；5)待放电电压稳定后，引入反应气体氧气与溅射出的Ti发生反应，变成TiO2，沉积到聚合物芯片表面。
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