[发明专利]一种上转换荧光材料及其制备方法无效
申请号: | 200510023963.4 | 申请日: | 2005-02-18 |
公开(公告)号: | CN1664060A | 公开(公告)日: | 2005-09-07 |
发明(设计)人: | 安丽琼;王士维;章健;刘敏 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | C09K11/78 | 分类号: | C09K11/78 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 潘振甦 |
地址: | 20005*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种上转换荧光材料及其制备方法。选择稀土氧化镥为基质,以三价镱为敏化离子共掺杂三价钬、铥、铒、镨、钐或镝离子中一种,用氨水、碳酸氢铵或氨水与碳酸氢铵的混合溶液作沉淀剂,采用共沉淀工艺制备了稀土离子掺杂的氧化镥基上转换荧光材料。所提供的组成克分子百分比为Lu3+∶Yb3+;其他稀土离子=99.7-80∶0.2-10∶0.1-10。用本发明提供的二种方法制备的上转换荧光材料粒度分布均匀,颗粒尺寸在1μm以下,在波长935~980nm范围内的红外光激发下即可观察到明显的不同颜色的可见光。制备工艺过程简单,合成方便,性能稳定,上转换发光良好。 | ||
搜索关键词: | 一种 转换 荧光 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种上转换荧光材料,以氧化镥为基质,其特征在于由三价镱离子为敏化离子,以及共掺三价Ho、Tm、Er、Pr、Sm或Dy中一种组成。
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