[发明专利]一种高硬度氮化硅陶瓷的低温烧结方法无效
| 申请号： | 200510023369.5 | 申请日： | 2005-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN1654430A | 公开（公告）日： | 2005-08-17 |
| 发明（设计）人： | 彭桂花;江国健;李文兰;张宝林;庄汉锐;徐素英 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/64 | 分类号： | C04B35/64;C04B35/584 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 20005*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种采用氮化硅镁(MgSiN2)作为烧结助剂低温烧结高硬度氮化硅(Si3N4)陶瓷的方法，属于非氧化物陶瓷制备领域。本发明中高性能Si3N4陶瓷是由α－Si3N4粉和MgSiN2按100∶10－2的比例混合，采用热压烧结技术制备的。在制备过程中，先将原料在2MPa压力下成型，然后装入石墨模具中，在10－30MPa、1600℃－1700℃、保温时间1－5小时热压烧结。本发明制备的Si3N4陶瓷具备优良的综合力学性能，其中三点抗折强度σKIC＞5.00MPa·m1/2左右、硬度Hv＞19GPa，最大Hv值可大于22GPa(2200Kg/mm2)。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硬度 氮化 陶瓷 低温 烧结 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高硬度Si3N4陶瓷的低温烧结方法，包括配料、混合、成型和烧结，其特征在于：(1)以α-Si3N4和MgSiN2为起始原料，两者重量比例为100∶10-2；(2)将上述步骤(1)含有烧结助剂的粉料均匀混合后，先将原料在2MPa压力下成型，然后装入石墨模具中，在10-30MPa、1600℃-1700℃、保温时间1-5小时、氮气气氛保护条件下进行热压烧结，且随炉冷却至室温。
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