[发明专利]头灯有效

专利信息
申请号: 200510022816.5 申请日: 2005-12-08
公开(公告)号: CN1787245A 公开(公告)日: 2006-06-14
发明(设计)人: 永井阳一;中村孝夫;片山浩二 申请(专利权)人: 住友电气工业株式会社
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;B60Q1/04;F21S8/10;F21W101/10;F21Y101/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 陈瑞丰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种车辆的头灯装备有包含一个或多个发光器件(LED)的光源,以及基体部件(底座和后盖),用以把光源紧固在车辆上。所述发光器件包括:GaN衬底1;在所述GaN衬底1的第一主表面一侧上的n-型AlxGa1-xN层3;位于比所述n-型AlxGa1-xN层3更远离GaN衬底1的p-型AlxGa1-xN层5;以及位于所述n-型AlxGa1-xN层3与p-型AlxGa1-xN层5之间的多量子阱4。在这种发光器件中,所述GaN衬底1的电阻率不大于0.5Ω·cm,朝下安装p-型AlxGa1-xN层5一侧,并从第二主表面1a放出光,所述第二主表面是一个与所述第一主表面相对的GaN衬底1的主表面。
搜索关键词: 头灯
【主权项】:
1.一种车用头灯,包括:光源,包含一个或多个发光器件;和基体部件,用以把光源紧固在车辆上;其中,所述发光器件包括:氮化物半导体衬底;在所述氮化物半导体衬底第一主表面侧上的n-型氮化物半导体层;位于比所述n-型氮化物半导体层更远离所述氮化物半导体衬底处的p-型氮化物半导体层;以及位于所述n-型氮化物半导体层与p-型氮化物半导体层之间的发光层;所述氮化物半导体衬底的电阻率不大于0.5Ω·cm;而且朝下安装所述p-型氮化物半导体层一侧,从作为氮化物半导体衬底一个主表面的第二主表面发射光,所述第二主表面与第一主表面相对。
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