[发明专利]冷轧超薄叠层合金化制备CuAlNiMn形状记忆合金薄膜无效
申请号: | 200510020163.7 | 申请日: | 2005-01-13 |
公开(公告)号: | CN1644728A | 公开(公告)日: | 2005-07-27 |
发明(设计)人: | 文玉华;李宁;李东;谢文玲 | 申请(专利权)人: | 四川大学 |
主分类号: | C22C9/01 | 分类号: | C22C9/01;C22C1/00;C22F1/08;B21B1/40;B21B3/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610065四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种冷轧超薄叠层合金化制备CuAlNiMn形状记忆合金薄膜的方法。采用塑性好,变形容易的Al箔、CuNiMn合金箔为原材料,根据设计的成分确定箔的厚度,将金属箔交互重叠放置,大变形冷轧后获得超薄叠层的三明治结构,根据需要,可以将冷轧后的超薄叠层对折后再冷轧,如此反复,最后进行扩散退火合金化,获得成分均匀的合金薄膜。CuAlNiMn形状记忆合金薄膜的组成元素含量分别满足(重量百分比):Al 11.5~14.5%,Ni 0~5%,Mn 0~3%,余量为铜。用该方法制备的CuAlNiMn形状记忆合金薄膜具有成分容易控制,晶粒细小,疲劳寿命高,面积大和成本低的优点。 | ||
搜索关键词: | 冷轧 超薄 合金 制备 cualnimn 形状 记忆 薄膜 | ||
【主权项】:
1、一种冷轧超薄叠层合金化制备的CuAlNiMn形状记忆合金薄膜,其特征在于组成元素含量分别满足(重量百分比):Al 11.5~14.5%,Ni 0~5%,Mn0~3%,余量为铜。
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