[发明专利]带自对准工艺的三极碳纳米管场致发射显示器的制作工艺

摘要

本发明涉及到碳纳米管阴极的三极结构场发射显示器的器件制作，特别涉及到带有自对准工艺的碳纳米管场发射显示器的制作工艺，显示器主要包括由阴极面板、阳极面板和玻璃围框构成的密封真空腔，在阳极面板上有光刻的锡铟氧化物薄膜层以及制备在锡铟氧化物薄膜层上面的荧光粉层，在阴极面板上有生长的碳纳米管阴极，位于碳纳米管阴极上部并控制其电子发射的控制栅极，在器件的制作过程中采用了带有自对准性质的制作工艺，用于栅极结构的制作和碳纳米管阴极的生长，具有结构简单、制作工艺简单、制作成本低廉、制作过程稳定可靠的优点。

主权项

1、一种带自对准工艺的三极碳纳米管场致发射显示器的制作工艺，显示器包括由阴极面板(1)、阳极面板(8)和玻璃围框(12)构成的密封真空腔，在阳极面板(8)上有光刻的锡铟氧化物薄膜层(9)以及制备在锡铟氧化物薄膜层(9)上面的荧光粉层(11)，在阴极面板(1)上有生长的碳纳米管阴极(7)，位于碳纳米管阴极上部并控制其电子发射的控制栅极(4)，其特征在于：在器件的制作过程中采用了带有自对准性质的制作工艺，用于栅极结构的制作和碳纳米管阴极的生长，具体包括如下步骤：1)、阴极基底玻璃(1)的划片：对整体平板玻璃进行划片，2)、阴极导电条(2)的制作：在阴极基底玻璃(1)上蒸镀一层锡铟氧化物薄膜层；对蒸镀的锡铟氧化物薄膜层进行光刻，形成阴极导电条(2)；3)、绝缘层(3)的生长：在阴极基底玻璃(1)上制作出二氧化硅层，用作控制栅极和碳纳米管阴极之间的绝缘层(3)；4)、绝缘层(3)的光刻：对阴极基底玻璃(1)上的二氧化硅层(3)进行光刻，要求使得阴极导电条(2)暴露出来，以便于为后续的碳纳米管阴极制备工艺作准备；5)、金属镍层的制作：在阴极基底玻璃(1)上蒸镀一层金属镍层；6)、栅极条(4)和阴极镍条(5)的形成：对金属镍层进行光刻；要求保留位于二氧化硅绝缘层(3)上的金属镍层，作为控制栅极条(4)；要求保留位于阴极导电条(2)上的金属镍层，作为碳纳米管生长的催化剂；要求位于二氧化硅绝缘层(3)上的金属镍层(即控制栅极条(4)和位于阴极导电条(2)上的金属镍层相互断开；7)、控制栅极覆盖层(6)的制作：再次在阴极基底玻璃(1)上制作一层二氧化硅层；然后，再次对二氧化硅层进行光刻，制作出控制栅极覆盖层(6)；控制栅极条(4)被埋藏在二氧化硅层当中；要求去除掉位于阴极导电条(2)上金属镍层上的二氧化硅层，使金属镍层完全暴露出来；8)、碳纳米管阴极(7)的生长：利用金属镍层作为催化剂，在所制作的阴极面板结构上进行碳纳米管的低温生长，形成碳纳米管阴极(7)。