[发明专利]自然解理腔面的GaN基激光二极管的制备方法

摘要

本发明提出了一种制备以GaN外延层的自然解理面作为激光器腔镜面、以金属铜Cu作为芯片热沉和支撑衬底的技术，以提高激光器腔镜面的光学质量，减小光学损耗，改善散热效率，达到减小激光器的阈值电流密度，提高器件的综合性能指标的目的，同时可以省略掉磨片、划片、裂片等大量工艺过程，简化工艺、降低成本。本发明是通过在GaN外延片的n面上电镀具有GaN基LD激光器管芯结构的厚铜，镀铜层具有于激光器管芯相同的间隔和周期，接着以铜作为解理激光器芯片时的支撑，并且作为LD芯片最终的热沉。本发明的特点在于同时解决了目前氮化镓基激光器导热、导电性能差和难以制备自然解理面的困难。

主权项

1.一种自然解理腔面的GaN基激光二极管的制备方法，具体包括以下步骤：1)在蓝宝石衬底的GaN基LD外延片上做好激光二极管P面结构；2)在金属加厚层上涂抹有机胶并粘在Si衬底上，然后置入真空室抽真空；3)在n-GaN面沉积金属层；4)在n面电极上按照GaN的一个解理面光刻具有GaN基LD激光器管芯结构的图形，形成导电网络；5)在具有GaN基LD激光器管芯结构一致的图形n面GaN上电镀平整的Cu；6)把LD外延片n面贴上蓝膜；7)撑开蓝膜得到分离的激光二极管管芯。