[发明专利]薄膜相位变化记忆体有效
| 申请号： | 200510005909.7 | 申请日： | 2005-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN1722488A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | 龙翔澜;陈逸舟 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/00 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种记忆胞，包括一硫属化物随机存取记忆胞以及一互补式金氧半导体晶体管电路。互补式金氧半导体晶体管电路用以存取硫属化物随机存取记忆胞。此硫属化物随机存取记忆胞具有一横截面区域，此横截面区域由一薄膜制程，及一等向性蚀刻制程所定义。可根据需要，使此硫属化物结构实施为与一二极管或一选择晶体管的半导体组件串联。此二极管驱使电流通过硫属化物结构。在选择晶体管的一闸极端点被一电压启动后，选择晶体管进而驱使一电流通过硫属化物结构。选择晶体管具有一闸极端点、一源极端点及一汲极端点。闸极端点可有效地与记忆体阵列的字元线耦合，而源极端点可有效地与记忆体阵列的驱动线耦合，及源极端点可有效地与一记忆体阵列的位元线耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 相位 变化 记忆体 | ||
【主权项】：
1、一种记忆胞，其特征在于其包括：一硫属化物随机存取记忆胞；以及一互补式金氧半导体晶体管操作电路，用以存取该硫属化物随机存取记忆胞。
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