[发明专利]用于产生结晶方向受控的多晶硅膜的系统和方法无效
| 申请号： | 200480044730.6 | 申请日： | 2004-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN101111925A | 公开（公告）日： | 2008-01-23 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·S·艾姆;保罗·C·范·德·维尔特 | 申请（专利权）人： | 纽约市哥伦比亚大学理事会 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;B23K26/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本发明的一个方面，提供一种用于提供具有受控的微结构和结晶纹理的多晶膜的方法。该方法提供具有特定结晶方向的伸长的晶粒或单晶岛。具体地，对衬底上的膜进行加工的方法包括：提供具有主要在一个方向上的结晶方向的晶粒的纹理结构膜；然后使用用于提供在上述结晶方向上取向的所述晶粒的位置受控生长的顺序横向固化来产生微结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 产生 结晶 方向 受控 多晶 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种对衬底上的膜进行加工的方法，该方法包括以下步骤：提供具有主要在一个方向上的结晶方向的晶粒的纹理结构膜；和使用用于提供在上述结晶方向上取向的所述晶粒的位置受控生长的顺序横向固化结晶化来产生微结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于纽约市哥伦比亚大学理事会，未经纽约市哥伦比亚大学理事会许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480044730.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
