[发明专利]等离子处理装置无效
| 申请号： | 200480039087.8 | 申请日： | 2004-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN1898783A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 河野雄一;岛津正;西森年彦;吉田和人 | 申请（专利权）人： | 三菱重工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;C23C16/44 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 杨林森;谷惠敏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种膜形成装置，其可以抑制粒子的生成并减少清洁过程的工作量。具体公开了这样一种膜形成装置，其通过喷气嘴(14)将气体(13)供应到真空室(1)并且通过向高频天线(7)施加电流将气体(13)转变成等离子体以在基片(6)上形成薄膜(15)。在该膜形成装置中，布置陶瓷内圆筒(20)，以便仅仅圆筒的小面积与真空室(1)接触，用于防止膜形成成分附着到真空室(1)的内壁上。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子处理装置，包括：气体供应装置，用于向室内部供应包括反应性气体的气体；压力控制装置，用于控制所述室的内部压力；等离子体生成装置，用于在所述室的内部生成所述气体的等离子体；以及基座，其安装在所述室内部的下部，用于支撑将要处理的基片，并且所述等离子处理装置进一步包括壁表面保护部件，其提供在所述室的内部，用于防止等离子处理相关产物附着到所述室的内壁表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
