[发明专利]金属化合物、薄膜形成用原料及薄膜的制造方法无效
| 申请号： | 200480038476.9 | 申请日： | 2004-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN1898192A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 樱井淳;山田直树 | 申请（专利权）人： | 株式会社艾迪科 |
| 主分类号： | C07C215/08 | 分类号： | C07C215/08;C07F7/00;C07F7/24;C07F7/28;C23C16/40 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的金属化合物为以通式(I)所示的物质，其熔点低、能够以液体状态输送、且蒸气压大而易气化，而且即便与其它金属化合物混合，也不会因为配体交换和化学反应而变质，适于作为使金属化合物气化而形成薄膜的CVD法等薄膜制造方法中所使用的原料。通式(I)中，R1、R2、R3及R4表示碳原子数为1～4的烷基，A表示碳原子数为1～8的亚烷基，M表示铅原子、钛原子或锆原子，n在M为铅原子时表示2、在M为钛原子或锆原子时表示4。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 化合物 薄膜 形成 料及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种以下述通式(I)所示的金属化合物，![]()
式中，R1、R2、R3及R4表示碳原子数为1～4的烷基；A表示碳原子数为1～8的亚烷基；M表示铅原子、钛原子或锆原子；n在M为铅原子时表示2、在M为钛原子或锆原子时表示4。
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