[发明专利]半导体激光器设备有效
| 申请号： | 200480033359.3 | 申请日： | 2004-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN1879270A | 公开（公告）日： | 2006-12-13 |
| 发明（设计）人： | 托尼·阿尔布雷希特;彼得·布里克;斯特凡·吕特根 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体激光器设备，其具有被光学泵浦的、表面发射的垂直发射区域(2)，该垂直发射区域具有有源的产生辐射的垂直发射层(3)，以及至少一个被单片集成的泵浦辐射源(5)用于该垂直发射区域(2)的光学泵浦，该泵浦辐射源具有有源的产生辐射的泵浦层(6)。按照本发明，在垂直方向上，泵浦层(6)被设置在垂直发射层(3)之后，并且在垂直发射层(3)和泵浦层(6)之间设置了一个导电层(13)。此外在半导体激光器设备的、相较导电层(13)更接近泵浦层(6)的侧面上淀积上一个接触部(9)。在接触部(9)和导电层(13)之间可以施加电场用于通过载流子注入生成泵浦辐射(7)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 设备 | ||
【主权项】：
1.半导体激光器设备，具有-光泵浦的、表面发射的垂直发射区域(2)，该垂直发射区域具有有源的产生辐射的垂直发射层(3)，以及-至少一个被单片集成的泵浦辐射源(5)用于该垂直发射区域(2)的光学泵浦，该泵浦辐射源具有有源的产生辐射的泵浦层(6)，其特征在于，-在垂直方向上，泵浦层(6)被设置在垂直发射层(3)之后，-在垂直发射层(3)和泵浦层(6)之间设置了一个导电层(13)，-在半导体激光器设备的、相较导电层(13)更接近泵浦层(6)的侧面上淀积上一个接触部(9)，并且-在导电层(13)和接触部(9)之间可以施加电场用于通过载流子注入生成泵浦辐射(7)。
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