[发明专利]混合双极－MOS沟槽栅极半导体器件无效
| 申请号： | 200480028309.6 | 申请日： | 2004-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1860615A | 公开（公告）日： | 2006-11-08 |
| 发明（设计）人： | T·莱塔维克 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L27/07;H01L29/78;H01L29/732 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 公开了一种MOS器件(101)，具有被短接在一起的本体和沟槽栅极(110、102)，并独立地偏置源极(106)。结果，该器件用作具有与其并联的NPN双极晶体管的沟槽栅MOS器件，其允许更小尺寸的器件，以进行DC－DC转换。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 mos 沟槽 栅极 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种混合MOS-双极器件，包括至少具有源极、栅极、漏极和本体区的沟槽MOS器件，该栅极和基极被短接在一起并且相对于漏极被正向偏置。
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