[发明专利]蚀刻硅的改进方法无效
| 申请号： | 200480025935.X | 申请日： | 2004-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1849702A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | 特雷沃·林赛·扬 | 申请（专利权）人： | CSG索拉尔有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/467 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;刘继富 |
| 地址： | 德国塔*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 通过包含有机树脂材料层(例如线型酚醛树脂)的掩模(11)来蚀刻硅(12)，利用该掩模在待蚀刻区域中形成开口(32)。首先，在待蚀刻器件的自由表面上沉积有机树脂层。随后，通过利用喷墨打印机沉积腐蚀性蚀刻剂如氢氧化钾(KOH)或氢氧化钠(NaOH)而形成开口(32)。所述蚀刻剂与树脂反应，从而在待蚀刻区域中暴露出硅表面。硅表面蚀刻的进行是通过将氢氟酸(HF)和高锰酸钾(KMnO4)的稀溶液经掩模中的开口施加至所述暴露表面从而将硅蚀刻至所需深度(83)。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 改进 方法 | ||
【主权项】：
1.一种通过掩模蚀刻硅的方法，包括：a)在待蚀刻器件的自由表面上方形成作为掩模的有机树脂层；b)在所述掩模中形成开口，暴露出待蚀刻区域的硅表面；c)将氢氟酸和高锰酸钾的稀溶液施加至经掩模暴露的硅表面上，从而将硅蚀刻至所需深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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