[发明专利]存储器件和使用及制造该器件的方法无效
| 申请号： | 200480025672.2 | 申请日： | 2004-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN1849718A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | Z·蓝;M·A·范巴斯柯克;C·S·比尔 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L27/28;H01L27/24;G11C13/04;G11C13/02 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟;戈泊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开由两个电极(106，202，108，204)所构成的存储单元(104)，该两个电极之间具有可控制导电介质。可控制导电介质(110)含有有源低导电层(112)和无源层(114)。若于可控制导电介质(110)上施加外界刺激如施加电场时时，该可控制导电介质会改变其阻抗。本发明也公开制造存储器件/单元的方法、使用该存储器件/单元的方法，以及例如含有该存储器件/单元的计算机的器件。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 使用 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储单元(104)，包括：第一电极(106、202)；第二电极(108、204)；以及位于第一电极和第二电极之间的可控制导电介质(110)，该可控制导电介质包括：低导电层(112)，其包括至少一种共轭有机聚合物、共轭有机金属化合物、共轭有机金属聚合物、巴克球、碳纳米管、低导电性硫属化合物、及过渡金属氧化物，以及无源层(114)，其包括导电促进层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于先进微装置公司，未经先进微装置公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480025672.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：机电换能器和电设备
- 下一篇：用于手持工具的节流控制装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
