[发明专利]在集成电路微冷却器的设计和制造中使用自组装纳米结构的系统和方法有效
| 申请号： | 200480024282.3 | 申请日： | 2004-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN1856871A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | C·丹格洛 | 申请（专利权）人： | 纳米传导公司 |
| 主分类号： | H01L21/461 | 分类号： | H01L21/461;H01L21/469;H01L21/31 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了采用碳纳米管或纳米线阵列以减小在集成电路芯片和散热器之间热接触电阻的散热器结构。碳纳米管阵列与布置在纳米管之间的导热金属填料结合。这个结构产生了具有高轴向和横向导热性的热界面。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 冷却器 设计 制造 使用 组装 纳米 结构 系统 方法 | ||
【主权项】：
1、一种微冷却器件结构，包括：具有散热器表面的散热器主体；多个单独分开的、用于将热能从至少一个集成电路芯片的表面传输到所述散热器表面的杆状纳米结构，所述多个单独分开的、杆状纳米结构布置在所述散热器表面和所述至少一个集成电路芯片的表面之间；以及在所述多个单独分开的、杆状纳米结构之间的填隙空位内布置的导热材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
