[发明专利]制造具有零电阻率温度系统的薄膜电阻器的方法有效
| 申请号： | 200480021594.9 | 申请日： | 2004-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN1830042A | 公开（公告）日： | 2006-09-06 |
| 发明（设计）人： | J·R·阿马登;A·K·金萨肯迪;K·H·翁 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01C7/06 | 分类号： | H01C7/06;H01C7/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种具有基本上零TCR的薄膜电阻器及其制造方法。所述薄膜电阻器包括一种位于另一种上的至少两种电阻器材料。各电阻器材料具有不同的电阻率温度系数，以致所述薄膜电阻器的有效电阻率温度系数基本上为0ppm/℃。所述薄膜电阻器可集成到互连结构中，或者其可与金属－绝缘体－金属电容器(MIMCAP)集成。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 有零 电阻率 温度 系统 薄膜 电阻器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜电阻器，包括：至少两种电阻器材料，一种位于另一种上，各电阻器材料具有不同的电阻率温度系数，其中所述不同的电阻率温度系数提供基本上0ppm/℃的有效电阻率温度系数。
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