[发明专利]薄硅晶片上的发射体绕通背面接触太阳能电池无效
| 申请号： | 200480018805.3 | 申请日： | 2004-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1860618A | 公开（公告）日： | 2006-11-08 |
| 发明（设计）人： | 吕塞尔·施米特;詹姆斯·M·吉 | 申请（专利权）人： | 日出能源公司 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;H01L31/05;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈长会 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种薄发射体绕通太阳能电池和制造薄发射体绕通太阳能电池的方法。所述电池优选包括厚度小于280微米的硅晶片衬底。电池背面的p－型区域被最小化，从而最大化集极区域并且减小或消除由p－型区域钝化造成的应力，所述p－型区域钝化是传统电池必须的。本发明电池的效率的峰值出现在比传统电池小得多的厚度处。因此，可以在明显损失效率的情况下使用廉价的低质量硅，从而提供超过其它太阳能电池构造的大的成本优势。穿过衬底连接衬底正面和背面上的发射体层的通孔可以由掺杂的孔组成，或者备选地，可以是通过由梯度驱动过程造成的溶剂迁移而形成的实心的掺杂的沟道，所述溶剂优选含有掺杂物。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 发射 体绕通 背面 接触 太阳能电池 | ||
【主权项】：
1、一种发射体绕通(EWT)太阳能电池，其包含厚度小于约280微米的硅晶片衬底；其中所述衬底是多晶或者具有非(110)的晶体取向。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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