[发明专利]硅晶片的制造方法

摘要

本发明的硅晶片的制造方法，其特征在于，包括分别在多个浸蚀槽储存酸浸蚀液和碱浸蚀液并把经过抛光工艺而具有加工变质层的硅晶片依次浸渍在酸浸蚀液和碱浸蚀液中以除去加工变质层的浸蚀工艺(14)、以及浸蚀工艺后同时对晶片表面和背面进行研磨的两面同时研磨工艺(16)，浸蚀工艺的碱浸蚀液使用40～60重量百分比的氢氧化钠水溶液，在两面同时研磨工艺中，设晶片表面的研磨量A为5～10μm，背面的研磨量B为2～6μm，研磨量A和研磨量B之差(A－B)为3～4μm。本发明的制造方法，提供的硅晶片是，晶片两面具有高精度的平坦度及小的表面粗糙度且可用目视识别晶片表面和背面的单面镜面晶片，其中保持在曝光装置夹具等状态下的晶片平坦度优异。

主权项

1.一种硅晶片的制造方法，包括分别在多个浸蚀槽储存酸浸蚀液和碱浸蚀液并把经过抛光工艺而具有加工变质层的硅晶片依次浸渍在酸浸蚀液和碱浸蚀液中以除去加工变质层的浸蚀工艺(14)、以及上述浸蚀工艺后同时对上述晶片表面和背面进行研磨的两面同时研磨工艺(16)，其特征在于，上述浸蚀工艺(14)的碱浸蚀液使用40～60重量百分比的氢氧化钠水溶液，在上述两面同时研磨工艺(16)中，设上述晶片表面的研磨量A为5～10μm，上述背面的研磨量B为2～6μm，上述研磨量A和上述研磨量B之差(A-B)为3～4μm。