[发明专利]位置信息测量方法及装置、和曝光方法及装置无效
申请号: | 200480014713.8 | 申请日: | 2004-05-27 |
公开(公告)号: | CN1795536A | 公开(公告)日: | 2006-06-28 |
发明(设计)人: | 中岛伸一 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G01B11/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 钟强;关兆辉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种可用散射测量或反射测量简单求取两个标记的相对位置偏差信息的位置信息测量方法。在晶片(W)上以间隔P1预先形成标记(25A),在其上的中间层(27)上以不同于间距P1的间距P2形成标记(28A)。使检出光(DL)垂直入射晶片(W),按照波长仅将来自两个标记(25A、28A)的正反射光(22)进行分光后进行光电转换。从获得的检出信号求出各波长的反射率,按照标记(25A、28A)在测量方向(X方向)上的各个位置求出预定波长上的反射率,根据求出的反射率分布求出由两个标记(25A、28A)重合而形成的波纹图形的形状,根据其形状求出标记(28A)的位置偏差量。 | ||
搜索关键词: | 位置 信息 测量方法 装置 曝光 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于求取与两个标记的相对位置偏差相关的信息的位置信息测量方法,其特征在于,包括以下步骤:第1步骤,作为上述两个标记,使用彼此间距不同的第1标记及第2标记,对上述两个标记照射光束,按照多个波长仅检出由从上述两个标记产生的预定一个次数的衍射光或从上述两个标记在预定的一个方向上产生的光束构成的光;和第2步骤,根据上述第1步骤的检出结果,求取与上述两个标记的相对位置偏差相关的信息。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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