[发明专利]制造一种多层互连结构的方法无效
| 申请号: | 200480014113.1 | 申请日: | 2004-05-04 |
| 公开(公告)号: | CN1795552A | 公开(公告)日: | 2006-06-28 |
| 发明(设计)人: | 戴维·V·霍拉克;查尔斯·W·科伯格;彼得·米切尔;拉里·A·内斯比特 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
| 主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
| 地址: | 美国纽*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | 一种采用空气作为低k介电体成分在多层互连结构中形成层间介电层的方法,其与金属镶嵌工艺兼容而无需引入另外工艺步骤。所述金属镶嵌工艺导电部件特性是在所述互连结构各层的牺牲型芯材料(22、30)中通过标准光刻和蚀刻工艺形成的。所述各层中的导电部件(28’、32’、34’)被型芯材料包围。在形成互连结构的所有层之后,对所述型芯材料提供一通道(62)。通过所述通道导入一各向同性蚀刻剂,其选择性地蚀刻和去除型芯材料。互连结构中先前由型芯材料占据的空间由空气填充,所述空气充当低k介电体。 | ||
| 搜索关键词: | 制造 一种 多层 互连 结构 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造多层互联结构的方法,包括:将型芯材料施加到衬底;去除部分的所述型芯材料以形成沟槽;去除部分的所述型芯材料以形成通孔,所述沟槽在所述下面的通孔上开口;用导电材料填充所述通孔和沟槽以制成多个部件,所述部件在相邻部件之间具有设置的介电体;在所述部件和型芯材料上面形成至少一层;界定至少一通道,所述通道将型芯材料引导穿过所述层;并且通过将各向同性的蚀刻剂导入所述通道从而去除所述型芯材料,所述各向同性的蚀刻剂选择性地蚀刻所述型芯材料,在相邻部件之间留下气孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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