[发明专利]CMP方法用研磨液及研磨方法无效
| 申请号： | 200480012569.4 | 申请日： | 2004-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN1784770A | 公开（公告）日： | 2006-06-07 |
| 发明（设计）人： | 中野智治;中岛史博;宫崎忠一;邓肯·布朗;马修·D·希利 | 申请（专利权）人： | 三洋化成工业株式会社;高级技术材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;杨青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了CMP方法用研磨液，其特征在于包含研磨材料、水性溶剂和添加剂，并含有基于研磨液重量的至少15重量％的粒径为20－80nm的研磨材料粒子；采用上述研磨液进行研磨的研磨方法适用于至少形成有氧化硅膜的器件晶片表面的平坦化加工，并能有效地稳定表现出优越的研磨特性，例如平坦化特性、低瑕疵特性和高洗净特性，最适用的是半导体工业中包含层间绝缘膜或元件分离膜、磁头和液晶显示器用衬底的半导体器件表面的平坦化加工。 | ||
| 搜索关键词： | cmp 方法 研磨 | ||
【主权项】：
1.CMP方法用研磨液，其包含：研磨材料；水性溶剂；和添加剂；并含有基于研磨液重量为至少15重量％的粒径为20-80nm的研磨材料粒子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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