[发明专利]用于同时得到一对由有用层覆盖的衬底的方法无效

专利信息
申请号: 200480011824.3 申请日: 2004-06-03
公开(公告)号: CN1781188A 公开(公告)日: 2006-05-31
发明(设计)人: B·吉瑟伦;C·奥涅特;B·巴泰络;C·梅热;H·莫里索 申请(专利权)人: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司;原子能源局
主分类号: H01L21/762 分类号: H01L21/762
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要: 发明涉及一种用于同时得到至少一对结构(51,52)的方法,每一个结构具有由有用层(110,120)覆盖在衬底(71,2)上。该方法的特征在于包含如下的步骤,包括:a)准备行(1)结构,其具有放在支持衬底(2)上的有用层;b)在所述有用层内部形成弱化区,从而定义前面有用层(110)和后面有用层(120);c)将加强衬底(71)附着到所述前面有用层(120);d)沿着弱化区分离叠层以得到两个行结构(2),第一个(51)包括支持衬底(2)和后面有用区(120),并且第二个(52)包括增强衬底(71)和前面有用层(110)。本发明用于电子学、光电子或光学领域。
搜索关键词: 用于 同时 得到 一对 有用 覆盖 衬底 方法
【主权项】:
1、一种同时产生用在电子学、光电子或者光学领域的至少一对结构(51,51′,52,52′)的方法,其中每一个结构包括至少一个转移到衬底(71,2)上的有用层(110,120),包括的步骤包括:a)准备称为级1的结构(5,5′),结构(5,5′)包括转移到支持衬底(2)的有用层(11);b)在所述级1结构的有用层(11)的内部形成弱化区(6),通过注入原子种类,从而定义称为“前面有用层”和“后面有用层”的两层(110,120),后面有用层(120)位于所述前面有用层(110)和所述支持衬底(2)之间。c)将增强衬底(71)附着到所述前面有用层(110)的自由面(130)上;d)通过施加应力,沿着所述的弱化区(6)分离在步骤c)中获得的叠层,从而得到两个级2结构(51,51′,52,52′),其中第一个结构(51,51′)至少包括所述支持衬底(2)和所述后面有用层(120),并且第二个结构(52,52′)至少包括所述增强衬底(71)和所述前面有用层(110)。
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