[发明专利]用于同时得到一对由有用层覆盖的衬底的方法无效
| 申请号: | 200480011824.3 | 申请日: | 2004-06-03 |
| 公开(公告)号: | CN1781188A | 公开(公告)日: | 2006-05-31 |
| 发明(设计)人: | B·吉瑟伦;C·奥涅特;B·巴泰络;C·梅热;H·莫里索 | 申请(专利权)人: | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司;原子能源局 |
| 主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762 |
| 代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
| 地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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| 摘要: | 本发明涉及一种用于同时得到至少一对结构(51,52)的方法,每一个结构具有由有用层(110,120)覆盖在衬底(71,2)上。该方法的特征在于包含如下的步骤,包括:a)准备行(1)结构,其具有放在支持衬底(2)上的有用层;b)在所述有用层内部形成弱化区,从而定义前面有用层(110)和后面有用层(120);c)将加强衬底(71)附着到所述前面有用层(120);d)沿着弱化区分离叠层以得到两个行结构(2),第一个(51)包括支持衬底(2)和后面有用区(120),并且第二个(52)包括增强衬底(71)和前面有用层(110)。本发明用于电子学、光电子或光学领域。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 同时 得到 一对 有用 覆盖 衬底 方法 | ||
【主权项】:
1、一种同时产生用在电子学、光电子或者光学领域的至少一对结构(51,51′,52,52′)的方法,其中每一个结构包括至少一个转移到衬底(71,2)上的有用层(110,120),包括的步骤包括:a)准备称为级1的结构(5,5′),结构(5,5′)包括转移到支持衬底(2)的有用层(11);b)在所述级1结构的有用层(11)的内部形成弱化区(6),通过注入原子种类,从而定义称为“前面有用层”和“后面有用层”的两层(110,120),后面有用层(120)位于所述前面有用层(110)和所述支持衬底(2)之间。c)将增强衬底(71)附着到所述前面有用层(110)的自由面(130)上;d)通过施加应力,沿着所述的弱化区(6)分离在步骤c)中获得的叠层,从而得到两个级2结构(51,51′,52,52′),其中第一个结构(51,51′)至少包括所述支持衬底(2)和所述后面有用层(120),并且第二个结构(52,52′)至少包括所述增强衬底(71)和所述前面有用层(110)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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