[发明专利]双极晶体管有效
| 申请号： | 200480009568.4 | 申请日： | 2004-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1771606A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫·伯克;托马斯·迈斯特;赖因哈德·施滕格尔;希尔伯特·舍费尔 | 申请（专利权）人： | 印芬龙科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种双极晶体管，包括：第一导电类型(n)的集电极区(25、25a)；第一导电类型(n+)的子集电极区(10；10a、10b)，其在集电极区(25、25a)的第一侧处电连接到集电极区(25、25a)；第二导电类型(p)的基极区(30)，其设置在集电极区(25、25a)的第二侧处；第一导电类型(n+)的发射极区(50)，其设置在远离集电极区(25、25a)一侧的基极区(30)上面；以及掺碳半导体区(10；10a；24、24a)，其设置在横靠集电极区(25、25a)的第一侧。 | ||
| 搜索关键词： | 双极晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种双极晶体管，包括：第一导电类型(n)的集电极区(25、25a)；第一导电类型(n+)的子集电极区(10；10a、10b)，其在集电极区(25、25a)的第一侧处电连接到集电极区(25、25a)；第二导电类型(p)的基极区(30)，其设置在集电极区(25、25a)的第二侧处；第一导电类型(n+)的发射极区(50)，其设置在远离集电极区(25、25a)一侧的基极区(30)上面；以及掺碳半导体区(10；10a；24、24a)，其设置在横靠集电极区(25、25a)的第一侧。
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