[发明专利]用于形成双金属栅极结构的处理过程

摘要

半导体器件(10)具有包括第一金属型(18)和在第一金属型(18)上的第二金属型(20)的P沟道(38)栅极层叠，和包括与栅极电介质(14)直接接触的第二金属型(18)的N沟道(40)栅极层叠。该N沟道(40)栅极层叠和P沟道(38)栅极层叠的一部分是通过干燥蚀刻处理来蚀刻的。该P沟道(38)栅极层叠的蚀刻是借助于湿蚀刻完成的。该湿蚀刻对栅极电介质(14)和第二金属型(18)是很有选择性的，使得该N沟道晶体管没有受到完成P沟道(38)栅极层叠蚀刻不利地影响。

主权项

1.一种用于形成双金属栅极结构的处理过程，包括：提供具有第一区域和第二区域的半导体衬底，其中该第一区域具有第一导电性类型和第二区域具有不同于该第一导电性类型的第二导电性类型；形成一个覆盖该半导体衬底的第一区域和第二区域的介电层；形成覆盖该介电层的第一金属包含层，其中该第一金属包含层覆盖该半导体衬底的第一区域；形成覆盖第一金属包含层和介电层的第二金属包含层，其中第二金属包含层与覆盖半导体衬底的第二区域的该介电层的一部分直接接触；形成覆盖第二金属包含层的图案掩模层，以确定第一栅极层叠和第二栅极层叠；使用该图案掩模层干蚀刻第二金属包含层，以形成该第一栅极层叠的栅电极；和使用该图案掩模层湿蚀刻该第一金属包含层的至少第一部分，以形成第二栅极层叠的栅电极。