[发明专利]应变硅工艺中的浅槽隔离有效
| 申请号： | 200480006974.5 | 申请日： | 2004-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN1762052A | 公开（公告）日： | 2006-04-19 |
| 发明（设计）人： | 汪海宏;M·V·努;相奇;P·R·贝塞尔;E·N·佩顿;林明仁 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/763 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制备集成电路(IC)的方法使用了浅槽隔离(STI)技术。该浅槽隔离技术用在应变硅(SMOS)工艺中。沟槽的衬里是由在低温过程中所沉积的半导体层或金属层而形成的，而低温过程减少了锗的释气。该低温过程可以是CVD过程。 | ||
| 搜索关键词： | 应变 工艺 中的 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体层中形成浅槽隔离区的方法，所述方法包括：在所述半导体层之上提供硬掩模层；在所述硬掩模层之上提供光刻胶层；在光刻过程中选择性去除在特定位置处的光刻胶层的部分；去除在所述特定位置处的硬掩模层；在位于所述特定位置下的硬掩模层中形成沟槽；在所述沟槽中提供保形半导体层；以及将所述保形半导体层转变为沟槽中的氧化物衬里。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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