[发明专利]用于有机存储装置的旋涂聚合物无效
| 申请号： | 200480006699.7 | 申请日： | 2004-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN1759451A | 公开（公告）日： | 2006-04-12 |
| 发明（设计）人： | J·V·奥格尔斯比;C·F·莱昂斯;R·苏布拉马尼安;A·T·胡伊;M·V·恩戈;S·潘格勒 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | G11C13/02 | 分类号： | G11C13/02;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开由二电极(106、108)构成的有机存储单元(104)的制造方法，该二电极(106、108)之间含可控制导电性的介质(110)。该可控制导电性的介质(110)包含有机半导体层(112)和无源层(114)。利用旋涂技术配合特定溶剂的辅助形成该有机半导体层(112)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 有机 存储 装置 聚合物 | ||
【主权项】：
1.一种有机存储单元的制造方法，包含：提供第一电极；在该第一电极上形成含促进导电性的化合物的无源层；使用旋涂技术在无源层上形成有机半导体层，该旋涂技术包含在有机半导体层上施敷以下物质的混合物：i)共轭有机聚合物、共轭有机金属化合物、共轭有机金属聚合物、巴克球和碳纳米管中的至少一种，及ii)至少一种选自二醇醚酯类、二醇醚类、呋喃类及包含约4至约7个碳原子的烷醇类的溶剂；以及在该有机半导体层上提供第二电极。
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