[发明专利]液浸曝光工艺用浸渍液及使用该浸渍液的抗蚀剂图案形成方法无效
| 申请号： | 200480005910.3 | 申请日： | 2004-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN1757096A | 公开（公告）日： | 2006-04-05 |
| 发明（设计）人： | 平山拓;佐藤充;胁屋和正;岩下淳;吉田正昭 | 申请（专利权）人： | 东京応化工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/038;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 郭煜;邹雪梅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种浸渍液，是通过液体将抗蚀剂膜曝光的液浸曝光工艺用浸渍液，由对曝光工艺中使用的曝光光透明、其沸点为70－270℃的含氟类液体构成；以及一种抗蚀剂图案形成方法，包括将上述浸渍液直接配置在抗蚀剂膜或保护膜上的工序。可同时防止液浸曝光中的抗蚀剂膜等膜的变质及使用液体的变质，形成采用液浸曝光的高分辨力抗蚀剂图案。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 工艺 浸渍 使用 抗蚀剂 图案 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种液浸曝光工艺用浸渍液，其特征在于，是通过液体将抗蚀剂膜曝光的液浸曝光工艺用浸渍液，由对上述曝光工艺中使用的曝光光透明、其沸点为70-270℃的含氟类液体构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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