[发明专利]投影光学系统、曝光装置以及曝光方法无效
| 申请号: | 200480003400.2 | 申请日: | 2004-03-16 |
| 公开(公告)号: | CN1745457A | 公开(公告)日: | 2006-03-08 |
| 发明(设计)人: | 大村泰弘 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
| 主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G02B13/14;G02B13/24;G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 一种投影光学系统,例如使用ArF准分子雷射光,在避免对含有萤石的高频波成分其折射率的散射与固有复折射的影响的同时,也可以确保良好的长时稳定成像性能。将第1面(R)的缩小像形成于第2面(W)上的投影光学系统。在最靠近第2面的一侧配置有约无折射力的第1透光部材(L23)。当该第1透光部材与该第2面之间的光轴其距离为WD,且第2面的数值孔径为NA,使用光的中心波长为L×10-6时,满足0.06<WD×NA/L<0.23的条件。或是,具有在最靠近第2面的一侧配置有约无折射力的第1透光部材,以及邻接于第1面侧所配置的第2透光部材(L22)。当沿着该第2透光部材到该第2面的空气换算长为OD,其满足0.1<OD×NA/L<0.4的条件。 | ||
| 搜索关键词: | 投影 光学系统 曝光 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
1、一种投影光学系统,可以将第1面的缩小像形成于第2面上,其特征在于其包括:在最靠近该第2面的一侧配置有约无折射力的一第1透光部材,其中当沿着该第1透光部材与该第2面之间的光轴距离为WD,第2面的数值孔径为NA,使用光的中心波长为L×10-6时,满足 0.06<WD×NA/L<0.23的条件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





