[发明专利]投影光学系统、曝光装置以及曝光方法无效

专利信息
申请号: 200480003400.2 申请日: 2004-03-16
公开(公告)号: CN1745457A 公开(公告)日: 2006-03-08
发明(设计)人: 大村泰弘 申请(专利权)人: 株式会社尼康
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027;G02B13/14;G02B13/24;G03F7/20
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人: 寿宁
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种投影光学系统,例如使用ArF准分子雷射光,在避免对含有萤石的高频波成分其折射率的散射与固有复折射的影响的同时,也可以确保良好的长时稳定成像性能。将第1面(R)的缩小像形成于第2面(W)上的投影光学系统。在最靠近第2面的一侧配置有约无折射力的第1透光部材(L23)。当该第1透光部材与该第2面之间的光轴其距离为WD,且第2面的数值孔径为NA,使用光的中心波长为L×10-6时,满足0.06<WD×NA/L<0.23的条件。或是,具有在最靠近第2面的一侧配置有约无折射力的第1透光部材,以及邻接于第1面侧所配置的第2透光部材(L22)。当沿着该第2透光部材到该第2面的空气换算长为OD,其满足0.1<OD×NA/L<0.4的条件。
搜索关键词: 投影 光学系统 曝光 装置 以及 方法
【主权项】:
1、一种投影光学系统,可以将第1面的缩小像形成于第2面上,其特征在于其包括:在最靠近该第2面的一侧配置有约无折射力的一第1透光部材,其中当沿着该第1透光部材与该第2面之间的光轴距离为WD,第2面的数值孔径为NA,使用光的中心波长为L×10-6时,满足 0.06<WD×NA/L<0.23的条件。
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