[发明专利]用于低功耗和高选择性的MRAM结构有效
| 申请号： | 200480003168.2 | 申请日： | 2004-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN1745429A | 公开（公告）日： | 2006-03-08 |
| 发明（设计）人： | K·勒普汉 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨生平;梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁阻存储器单元(30)，该磁阻存储器单元(30)包括：磁阻存储器元件(31)，第一电流线(32)和第二电流线(33)，该第一和第二电流线(32，33)在交叉点区彼此交叉但不直接接触。根据本发明，桥接元件(34)在交叉点区附近连接该第一和第二电流线(32，33)。该桥接元件(34)磁性地耦合到磁阻存储器元件(31)。根据本发明的MRAM结构的优点在于，它比现有技术的器件允许更低的功耗且在写入期间允许高选择性。本发明还提供一种在根据本发明的磁阻存储器单元(30)的矩阵中写入数值的方法以及一种制造这样的磁阻存储器单元(30)的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 功耗 选择性 mram 结构 | ||
【主权项】：
1.磁阻存储器单元，其包括：磁阻存储器元件，第一电流线和第二电流线，该第一和该第二电流线在交叉点区处彼此交叉但不直接接触，其中桥接元件在该交叉点区附近连接该第一和第二电流线，并且该桥接元件磁性地耦合到该磁阻存储器元件。
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