[实用新型]四晶体管随机存取存储单元无效
| 申请号： | 200420050620.8 | 申请日： | 2004-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN2720572Y | 公开（公告）日： | 2005-08-24 |
| 发明（设计）人： | 邹宗成 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/40 | 分类号： | G11C11/40 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种四晶体管随机存取存储单元，包括一第一、第二、第三及第四晶体管。第一晶体管具有一第一导电性，其栅极耦接至一字元线而源极耦接至一位元线。第二晶体管具有第一导电性，其栅极耦接至第一晶体管的漏极而源极耦接接收一第一电压。第三晶体管具有一第二导电性，其栅极耦接至第二晶体管的漏极，源极耦接接收一第二电压，漏极则耦接至第一晶体管的漏极。第四晶体管具有第二导电性，其栅极耦接至第一晶体管的漏极，源极耦接接收第二电压，漏极则耦接至第二晶体管的漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 随机存取 存储 单元 | ||
【主权项】：
1.一种四晶体管随机存取存储单元，其特征在于包括：一第一晶体管，具有一第一导电性，其栅极耦接至一字元线而源极耦接至一位元线；一第二晶体管，具有该第一导电性，其栅极耦接至该第一晶体管的漏极而源极耦接接收一第一电压；一第三晶体管，具有一第二导电性，其栅极耦接至该第二晶体管的漏极，源极耦接接收一第二电压，漏极则耦接至该第一晶体管的漏极；以及一第四晶体管，具有该第二导电性，其栅极耦接至该第一晶体管的漏极，源极耦接接收该第二电压，漏极则耦接至该第二晶体管的漏极。
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